%0 Journal Article
%T Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina<br>用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构
%A Bai An-Qi
%A Hu Di
%A Ding Wu-Chang
%A Su Shao-Jian
%A Hu Wei-Xuan
%A Xue Chun-Lai
%A Fan Zhong-Chao
%A Cheng Bu-Wen
%A Yu Yu-De
%A Wang Qi-Ming
%A <br>白安琪
%A 胡迪
%A 丁武昌
%A 苏少坚
%A 胡炜玄
%A 薛春来
%A 樊中朝
%A 成步文
%A 俞育德
%A 王启明
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄（500—1000 nm）的多孔阳极氧化铝膜，贴合到硅片上进行干法刻蚀，实现图形转移，得到了硅基纳米孔阵列结构，并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜（SEM）测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序，孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光（PL）测试，结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光，并实现了显著发光增强，对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用
%K porous anodic alumina mask
%K silicon nanopore array structure
%K pattern transfer<br>多孔阳极氧化铝模板，
%K 硅基纳米孔阵列结构，
%K 图形转移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=70D822C9C8467800447D01AAF235303F&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A617B10C4F077C05&eid=F95F20ECA67F1E89&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0