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物理学报 2009
Properties of electric transport in crystallized silicon films under different annealing temperatures
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Abstract:
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜，经过不同温度下的热退火处理，使薄膜由非晶结构向晶化结构转变，得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中，采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试，对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明：退火温度为700 ℃时,样品中开始有纳米晶形成，随着退火温度的增加，样品的晶化比增大，在1000 ℃时，薄膜的晶化比达到90%以上.在700 ℃退火时，薄膜中晶化成分较低，载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响，表现为带尾定域态的跳跃电导
