%0 Journal Article
%T Properties of electric transport in crystallized silicon films under different annealing temperatures<br>不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质
%A Song Chao
%A Chen Gu-Ran
%A Xu Jun
%A Wang Tao
%A Sun Hong-Cheng
%A Liu Yu
%A Li Wei
%A Chen Kun-Ji
%A <br>宋超
%A 陈谷然
%A 徐骏
%A 王涛
%A 孙红程
%A 刘宇
%A 李伟
%A 陈坤基
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜，经过不同温度下的热退火处理，使薄膜由非晶结构向晶化结构转变，得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中，采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试，对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明：退火温度为700 ℃时,样品中开始有纳米晶形成，随着退火温度的增加，样品的晶化比增大，在1000 ℃时，薄膜的晶化比达到90%以上.在700 ℃退火时，薄膜中晶化成分较低，载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响，表现为带尾定域态的跳跃电导
%K a-Si:H films
%K annealing
%K nc-silicon
%K electric transport<br>氢化非晶硅，
%K 退火，
%K 纳米硅，
%K 电输运
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2D5CE2D3BB8581D97BD80A1FB3238F1D&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=D01401B5888CAEA8&eid=9E0671FFDC9266F5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0