Anisotropy of hole effective mass of strained Si/(001)Si1-xGex
应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性

基于应变Si/（001）Si1-xGex材料价带E（k）-k关系模型，研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明，与弛豫材料相比，应变Si/（001）Si1-xGex材料价带带边（重空穴带）、亚带边（轻空穴带）空穴有效质量在某些k矢方向变化显著，各向异性更加明显.价带空穴有效质量与迁移率密切相关，该研究成