%0 Journal Article
%T Anisotropy of hole effective mass of strained Si/(001)Si1-xGex<br>应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性
%A Song Jian-Jun
%A Zhang He-Ming
%A Xuan Rong-Xi
%A Hu Hui-Yong
%A Dai Xian-Ying
%A <br>宋建军
%A 张鹤鸣
%A 宣荣喜
%A 胡辉勇
%A 戴显英
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 基于应变Si/（001）Si1-xGex材料价带E（k）-k关系模型，研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明，与弛豫材料相比，应变Si/（001）Si1-xGex材料价带带边（重空穴带）、亚带边（轻空穴带）空穴有效质量在某些k矢方向变化显著，各向异性更加明显.价带空穴有效质量与迁移率密切相关，该研究成
%K strained Si
%K valence band
%K hole effective mass<br>应变Si，
%K 价带，
%K 空穴有效质量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3DEDD6B9AB8DF2CBA50989E497267634&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=33601BD30CDCCB96&eid=0D2CFF3D48251F44&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0