Influence of barrier height of the front contact on the amorphous silicon and microcrystalline silicon heterojunction solar cells
前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响

运用AMPS-1D（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures） 程序系统分析了前端接触（铟锡氧化物）的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响，比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明：与微晶硅相比，非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能（如太阳电池效率、填充因子等）得到明显改善，而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变，但更容易趋于饱和. 模拟结果显示，在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.