%0 Journal Article
%T Influence of barrier height of the front contact on the amorphous silicon and microcrystalline silicon heterojunction solar cells<br>前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响
%A Zhang Yong
%A Liu Yan
%A Zhang Hong-Ying
%A Wang Ji-Qing
%A Tang Nai-Yun
%A <br>张 勇
%A 刘 艳
%A 吕 斌
%A 张红英
%A 王基庆
%A 汤乃云
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 运用AMPS-1D（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures） 程序系统分析了前端接触（铟锡氧化物）的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响，比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明：与微晶硅相比，非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能（如太阳电池效率、填充因子等）得到明显改善，而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变，但更容易趋于饱和. 模拟结果显示，在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.
%K 铟锡氧化物，非晶硅，微晶硅，计算机模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=48F34D80B3F1DA1642D4F0120E5621DA&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=E158A972A605785F&sid=175EA06C68242975&eid=D53320E8F8D57E0D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0