Gamma-ray radiation effect on Ni/4H-SiC SBD
Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）进行了γ射线辐照试验，并在辐照过程中对器件分别加0和-30?V偏压.经过1?Mrad（Si）总剂量的γ射线辐照后，不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化，SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降，这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明，辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.