%0 Journal Article
%T Gamma-ray radiation effect on Ni/4H-SiC SBD<br>Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应
%A Zhang Lin
%A Han Chao
%A Ma Yong-Ji
%A Zhang Yi-Men
%A Zhang Yu-Ming
%A <br>张林
%A 韩超
%A 马永吉
%A 张义门
%A 张玉明
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）进行了γ射线辐照试验，并在辐照过程中对器件分别加0和-30?V偏压.经过1?Mrad（Si）总剂量的γ射线辐照后，不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化，SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降，这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明，辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.
%K silicon carbide
%K Schottky barrier diode
%K radiation effect
%K bias voltage<br>碳化硅，
%K 肖特基，
%K 辐照效应，
%K 偏压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9C0298866542D70E9913E50E08CEF644&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=E158A972A605785F&sid=FD1B16C94E0C9045&eid=311D553474BE2E39&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0