Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas
不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明，国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应，且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现，发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制，从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.