%0 Journal Article
%T Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas<br>不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性
%A Zheng Yu-Zhan
%A Lu Wu
%A Ren Di-Yuan
%A Wang Yi-Yuan
%A Guo Qi
%A Yu Xue-Feng
%A He Cheng-Fa
%A <br>郑玉展
%A 陆妩
%A 任迪远
%A 王义元
%A 郭旗
%A 余学锋
%A 何承发
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明，国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应，且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现，发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制，从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.
%K emitter area
%K domestic npn transistors
%K dose rate
%K radiation damage<br>发射极面积，
%K 国产npn晶体管，
%K 剂量率，
%K 辐射损伤
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FB6040F8F76DD9E55065171D87BB1301&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=A9CC7EE4EF451A62&eid=61A190FCE317765D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0