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物理学报 2009
Photoluminescence study of quantum confined acceptors
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Abstract:
对一系列δ掺杂浅受主铍（Be）原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光（PL）研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品，并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂，量子阱宽度为30 到200 ?.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱，清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s3/2（Γ6）到第一激发态
