%0 Journal Article
%T Photoluminescence study of quantum confined acceptors<br>量子限制受主的光致发光研究
%A Li Su-Mei
%A Song Shu-Mei
%A Wang Ai-Fang
%A Wu Ai-Ling
%A Zheng Wei-Min
%A <br>李素梅
%A 宋淑梅
%A 吕英波
%A 王爱芳
%A 吴爱玲
%A 郑卫民
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 对一系列δ掺杂浅受主铍（Be）原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光（PL）研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品，并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂，量子阱宽度为30 到200 ?.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱，清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s3/2（Γ6）到第一激发态
%K quantum confined acceptors
%K photoluminescence
%K multiple quantum wells
%K delta-doped<br>量子限制受主，
%K 光致发光，
%K 多量子阱，
%K δ掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=EA93FA2F73C3B26AACD93B031140240D&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=65B8E5DEBD9E0942&eid=6A1BBEA054D1B13D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0