A study on electronic structure and optical properties of Zn1-x BexO
关于Zn1-xBexO电子结构和光学性质的研究

采用基于密度泛函理论和平面波赝势技术的CASTEP程序对Zn1-xBexO合金电子结构和光学性质进行了计算.当0≤x≤1，其带隙从0.963 eV变化到7.293 eV.分析了晶格畸变和能带间排斥效应对带隙的影响.当Be含量x=0.125，0.25，0.375，0.5，0.625，0.75时，a/b轴压应变控制着带隙变化；当x=0.875，1时，c轴压应变控制着带隙变化.能带间的p-d排斥影响价带顶变动，Γ1v与Γ1c之间排斥影响导带底变动.这些能带间的排斥效应被用来分析Zn1-xBexO带隙变动.另外，也分析了Zn1-xBexO介电函数虚部ε2.