%0 Journal Article %T A study on electronic structure and optical properties of Zn1-x BexO
关于Zn1-xBexO电子结构和光学性质的研究 %A Shi Li-Bin %A Li Rong-Bing %A Cheng Shuang %A Li Ming-Biao %A
史力斌 %A 李容兵 %A 成爽 %A 李明标 %J 物理学报 %D 2009 %I %X 采用基于密度泛函理论和平面波赝势技术的CASTEP程序对Zn1-xBexO合金电子结构和光学性质进行了计算.当0≤x≤1,其带隙从0.963 eV变化到7.293 eV.分析了晶格畸变和能带间排斥效应对带隙的影响.当Be含量x=0.125,0.25,0.375,0.5,0.625,0.75时,a/b轴压应变控制着带隙变化;当x=0.875,1时,c轴压应变控制着带隙变化.能带间的p-d排斥影响价带顶变动,Γ1v与Γ1c之间排斥影响导带底变动.这些能带间的排斥效应被用来分析Zn1-xBexO带隙变动.另外,也分析了Zn1-xBexO介电函数虚部ε2. %K 带结构, %K 光学性质, %K 应变, %K 排斥 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DF4B39CF5400648096EB51D0110533D8&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=4CD0AAA096C7B2BB&eid=AF6019C450FEFC6C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0