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物理学报 2009
Effect of Al2O3 dielectric layer thickness on the AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor higher-electron-mobility transistor characteristics
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Abstract:
在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明：随着Al2O3介质层厚度的增加，器件的栅控能力逐渐减弱，但是其栅泄漏电流明显降低，击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容，因此其阈值电压较小，但是绝缘性能较差，并不能很好地抑制栅电流的泄漏；其次随着介质厚度的增加，可以对栅极施加更高的正偏压，因此获
