%0 Journal Article
%T Effect of Al2O3 dielectric layer thickness on the AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor higher-electron-mobility transistor characteristics<br>Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响
%A Bi Zhi-Wei
%A Feng Qian
%A Hao Yue
%A Yue Yuan-Zheng
%A Zhang Zhong-Fen
%A Mao Wei
%A Yang Li-Yuan
%A Hu Gui-Zhou
%A <br>毕志伟
%A 冯倩
%A 郝跃
%A 岳远征
%A 张忠芬
%A 毛维
%A 杨丽媛
%A 胡贵州
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明：随着Al2O3介质层厚度的增加，器件的栅控能力逐渐减弱，但是其栅泄漏电流明显降低，击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容，因此其阈值电压较小，但是绝缘性能较差，并不能很好地抑制栅电流的泄漏；其次随着介质厚度的增加，可以对栅极施加更高的正偏压，因此获
%K Al2O3<br>Al2O3，
%K 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管，
%K 介质层厚度，
%K 钝化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0B9CAEB2777EDBAF1B17D7842946BF08&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D4E0B7DBF849DEB2&eid=3BC8EB4DC4515ACE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0