Preparation of Mg and Al co-doped ZnO thin films with tunable band gap
带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备

利用射频磁控溅射（RF-MS）方法，固定Al2O3掺杂量2 wt%，Mg掺杂量分别为1 wt%，3 wt%和5 wt%，在玻璃基底上制备了Al掺杂和Al，Mg共掺杂的ZnO薄膜，在500 ℃空气中退火2 h后，测量并比较了它们的光学和电学性质．结果表明，Al，Mg共掺杂的ZnO薄膜结晶质量良好，具有ZnO纤锌矿结构，具有较强的（002）面衍射峰，表明薄膜晶体沿c轴优先生长；与Al掺杂ZnO薄膜相比蓝端光透射率增加，1 wt%和3 wt% Mg掺杂薄