%0 Journal Article
%T Preparation of Mg and Al co-doped ZnO thin films with tunable band gap<br>带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备
%A Gao Li
%A Zhang Jian-Min
%A <br>高立
%A 张建民
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 利用射频磁控溅射（RF-MS）方法，固定Al2O3掺杂量2 wt%，Mg掺杂量分别为1 wt%，3 wt%和5 wt%，在玻璃基底上制备了Al掺杂和Al，Mg共掺杂的ZnO薄膜，在500 ℃空气中退火2 h后，测量并比较了它们的光学和电学性质．结果表明，Al，Mg共掺杂的ZnO薄膜结晶质量良好，具有ZnO纤锌矿结构，具有较强的（002）面衍射峰，表明薄膜晶体沿c轴优先生长；与Al掺杂ZnO薄膜相比蓝端光透射率增加，1 wt%和3 wt% Mg掺杂薄
%K Al<br>射频磁控溅射，
%K ZnO薄膜，
%K Al，Mg共掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=022EF4908C1D25E0255962FE1B2E26C2&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=7255C785644C30DB&eid=5EA13E419C3CEE63&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0