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物理学报 2009
Influence of growth temperature on properties of AlGaInN quaternary epilayers
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Abstract:
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在c面蓝宝石（α-Al2O3）衬底上外延生长了铝镓铟氮（AlGaInN）四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800，850，900 ℃，对获得的样品进行对比分析发现：随着生长温度的升高，合金中的In组分单调降低，而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850 ℃时，薄膜表面开始出现V型缺陷；生长温度进一步升高到900 ℃时，偏析In原子的脱吸附作用加剧，V型缺陷成核被弱化，使V型缺陷的特征尺
