%0 Journal Article
%T Influence of growth temperature on properties of AlGaInN quaternary epilayers<br>生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
%A Liu Qi-Ji
%A Shao Yong
%A Wu Zhen-Long
%A Xu Zhou
%A Xu Feng
%A Liu Bin
%A Xie Zi-Li
%A Chen Peng
%A <br>刘启佳
%A 邵勇
%A 吴真龙
%A 徐洲
%A 徐峰
%A 刘斌
%A 谢自力
%A 陈鹏
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在c面蓝宝石（α-Al2O3）衬底上外延生长了铝镓铟氮（AlGaInN）四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800，850，900 ℃，对获得的样品进行对比分析发现：随着生长温度的升高，合金中的In组分单调降低，而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850 ℃时，薄膜表面开始出现V型缺陷；生长温度进一步升高到900 ℃时，偏析In原子的脱吸附作用加剧，V型缺陷成核被弱化，使V型缺陷的特征尺
%K AlGaInN，
%K 金属有机物化学气相沉积，
%K 生长温度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D59951277378A2D9B91574CE57ACF4F5&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=84C5557A9BECBE79&eid=9D7A39D00587179B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0