Molecular dynamics study on the plastic behavior of monocrystalline copper under shock loading and unloading
单晶Cu冲击加载及卸载下塑性行为的微观模拟

使用分子动力学方法对室温下单晶铜沿［001］和［111］方向冲击加载及卸载下的塑性行为进行了模拟，得到了Hugoniot关系以及冲击熔化压力，与实验基本符合. 加载过程中，较高的初始温度有利于位错的形核与发展. 通过对冲击波在自由表面卸载过程的模拟和分析发现：卸载过程呈现“准弹性卸载行为”；沿［001］方向卸载后大量不全位错环与堆积层错消失，而沿［111］方向卸载后只有少量层错消失，部分层错甚至会发展扩大.