Investigation on the deoxidation process of SrO/Si(100)surface
SrO/Si(100)表面去氧过程的研究

借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术，深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中，样品在500 ℃的退火温度下，表面出现SrO晶化的现象；在550—590 ℃的退火温度下，SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化，界面和表面上的氧以气态的SiO溢出，使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性，这是由于表层硅原子发生断键重排，从而在表面出现悬