%0 Journal Article
%T Investigation on the deoxidation process of SrO/Si(100)surface<br>SrO/Si(100)表面去氧过程的研究
%A Du Wen-Han
%A <br>杜文汉
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 借助高温扫描隧道显微镜和光电子能谱技术，深入研究了SrO/Si(100)表面向Sr/Si(100)再构表面的动态转化过程.Sr/Si(100)再构表面在硅基氧化物外延生长中起重要作用.在该动态转化过程中，样品在500 ℃的退火温度下，表面出现SrO晶化的现象；在550—590 ℃的退火温度下，SrO/Si(100)开始向Sr/Si(100)转化，界面和表面上的氧以气态的SiO溢出，使得表面出现大量凹槽状缺陷.并且在此动态转化过程中表面的电子态表现出金属特性，这是由于表层硅原子发生断键重排，从而在表面出现悬
%K SrO/Si surface
%K Sr/Si surface
%K scanning tunneling microscopy
%K deoxidation process<br>SrO/Si表面
%K Sr/Si表面
%K 扫描隧道显微镜
%K 去氧过程
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=86A50D707F20503D46FE064BD27CE385&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=94C357A881DFC066&sid=96FA404F4A177C92&eid=56BB52BDC1A19B25&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=15