以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

提出了以弱p型（p－-GaN）为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低，很容易增加耗尽区的宽度，从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算，研究了金属与p－-GaN层的肖特基接触势垒高度、p－-GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明，降低金属与p－-GaN层的接触势垒高度、适当减小p－-GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场，从而提高器件的量子效率.要制备出