%0 Journal Article
%T 以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器
%A 周梅
%A 赵德刚
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 提出了以弱p型（p－-GaN）为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低，很容易增加耗尽区的宽度，从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算，研究了金属与p－-GaN层的肖特基接触势垒高度、p－-GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明，降低金属与p－-GaN层的接触势垒高度、适当减小p－-GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场，从而提高器件的量子效率.要制备出
%K 弱p型GaN，
%K 紫外探测器，
%K 量子效率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F3EFB948EDF6B2AC7BC16352D95F7424&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=698D3B6FFB8E05BA&eid=C1AEA6389E6CEE54&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0