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物理学报 2009
The triangular pits eliminate of (1120) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition
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Abstract:
用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜，通过采用AlGaN多量子阱插入层，得到了高质量的非极性GaN材料. 用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量，发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除，（1120）面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
