%0 Journal Article
%T The triangular pits eliminate of (1120) a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition<br>金属有机物化学气相沉积生长的a(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究
%A Xu Sheng-Rui
%A Zhang Jin-Cheng
%A Li Zhi-Ming
%A Zhou Xiao-Wei
%A Xu Zhi-Hao
%A Zhao Guang-Cai
%A Zhu Qing-Wei
%A Zhang Jin-Feng
%A Mao Wei
%A Hao Yue
%A <br>许晟瑞
%A 张进城
%A 李志明
%A 周小伟
%A 许志豪
%A 赵广才
%A 朱庆伟
%A 张金凤
%A 毛维
%A 郝跃
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜，通过采用AlGaN多量子阱插入层，得到了高质量的非极性GaN材料. 用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量，发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除，（1120）面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
%K GaN，
%K 原子力显微镜，
%K 高分辨X射线衍射仪，非极性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=824A9B2DDB54F9BE98A7728BCD184D1F&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4AD048E1FC5A23BB&eid=482DBB461E9672A3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0