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物理学报 2009
Photoluminescence of as-grown and annealed ZnO films on Ti-buffered Si(111) substrates
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Abstract:
采用反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量，研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明，Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能，但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素，较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的，残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加，薄膜中的张应力增大，导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.
