%0 Journal Article
%T Photoluminescence of as-grown and annealed ZnO films on Ti-buffered Si(111) substrates<br>Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
%A Wei Wei
%A Liu Ming
%A Qu Sheng-Wei
%A Zhang Qing-Yu
%A <br>魏玮
%A 刘明
%A 曲盛薇
%A 张庆瑜
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用反应磁控溅射法在Si（111）基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量，研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明，Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能，但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素，较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的，残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加，薄膜中的张应力增大，导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.
%K ZnO薄膜，
%K 缓冲层，
%K 退火处理，
%K 应力分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2292405AAD64185F2757A9089A550D52&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FF1CB38B6887FB33&eid=65C32D4EACC5953E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0