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物理学报 2011
Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究Keywords: 第一性原理,超软赝势,密度泛函理论,Si掺杂β-Ga2O3 Abstract: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光
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