%0 Journal Article
%T Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究
%A 张易军
%A 闫金良
%A 赵刚
%A 谢万峰
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光
%K 第一性原理
%K 超软赝势
%K 密度泛函理论
%K Si掺杂β-Ga2O3
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C228F0A850620DCC5DDDF841139384EC&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=38B194292C032A66&sid=F334FEA38B20CC52&eid=CDC418F38C4BFD60&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=37