Electronic and magnetic properties of p,n type dopant and Mn co-doped GaN
p，n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg，Zn，Si，O和Mn共掺GaN，分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质，并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度（TC）.计算表明：共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带，具有半金属性，能产生自旋注入.p型共掺杂（GaN：Mn-Mg＼Zn）后体系具有较GaN：Mn更稳定的FM态且能使TC升高；而n型共掺杂（GaN：Mn-Si＼O）后体系FM态稳定性