%0 Journal Article
%T Electronic and magnetic properties of p,n type dopant and Mn co-doped GaN<br>p，n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质
%A Xing Hai-Ying
%A Fan Guang-Han
%A Zhou Tian-Ming
%A <br>邢海英
%A 范广涵
%A 周天明
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg，Zn，Si，O和Mn共掺GaN，分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质，并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度（TC）.计算表明：共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带，具有半金属性，能产生自旋注入.p型共掺杂（GaN：Mn-Mg＼Zn）后体系具有较GaN：Mn更稳定的FM态且能使TC升高；而n型共掺杂（GaN：Mn-Si＼O）后体系FM态稳定性
%K Mg，Zn，Si，O和Mn共掺GaN，
%K 第一性原理，
%K 居里温度（TC），
%K 磁学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=EFD39C92B558B6F1EC534B1177F84440&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=94C357A881DFC066&sid=663509FDA03E7305&eid=E6FEEF993CD9DC48&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0