Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

研究了GaN基p-i-n（p-AlGaN/i-GaN/n-GaN）结构紫外探测器的漏电机理．实验发现，在位错密度几乎相同的情况下，基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电．进一步的SEM测试发现，这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层．在制备p-AlGaN电极时，许多金属会落在V形坑中，从而与i-GaN形成了肖特基接触，有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触．正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加．