%0 Journal Article
%T Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector<br>穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
%A Zhang Shuang
%A Zhao De-Gang
%A Liu Zong-Shun
%A Zhu Jian-Jun
%A Zhang Shu-Ming
%A Wang Yu-Tian
%A Duan Li-Hong
%A Liu Wen-Bao
%A Jiang De-Sheng
%A Yang Hui
%A <br>张爽
%A 赵德刚
%A 刘宗顺
%A 朱建军
%A 张书明
%A 王玉田
%A 段俐宏
%A 刘文宝
%A 江德生
%A 杨辉
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 研究了GaN基p-i-n（p-AlGaN/i-GaN/n-GaN）结构紫外探测器的漏电机理．实验发现，在位错密度几乎相同的情况下，基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电．进一步的SEM测试发现，这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层．在制备p-AlGaN电极时，许多金属会落在V形坑中，从而与i-GaN形成了肖特基接触，有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触．正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加．
%K GaN
%K UV detector
%K V-pits
%K leakage current<br>GaN，
%K 紫外探测器，
%K V形坑，
%K 反向漏电
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B08BD53716D3EDE7443A20D1AE7A6427&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=00B23384E80F807F&eid=F6506A11AEC120AA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0