Band structure of strained Si1-xGex
应变Si1-xGex能带结构研究

采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了（001），（101）和（111）面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex（x≤0.5）的能带结构模型，获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分（x）的函数变化关系，该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考．