%0 Journal Article
%T Band structure of strained Si1-xGex<br>应变Si1-xGex能带结构研究
%A Song Jian-Jun
%A Zhang He-Ming
%A Hu Hui-Yong
%A Xuan Rong-Xi
%A Dai Xian-Ying
%A <br>宋建军
%A 张鹤鸣
%A 胡辉勇
%A 宣荣喜
%A 戴显英
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了（001），（101）和（111）面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex（x≤0.5）的能带结构模型，获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分（x）的函数变化关系，该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考．
%K strained Si1-xGex
%K K
%K P method
%K band structure<br>应变Si1-xGex，
%K K.P
%K 法，
%K 能带结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=8D03DF59FE573CC87C85DDF50789B8F5&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=5FB644124EE36A2C&eid=7E1610E70AD89A58&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0