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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2010 

The first-principle calculations and analysis on density of states of silion plane (111) formed by nitrogen film
Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析

Keywords: the first-principle calculations,SiN films,PL emission enhanced,localized trap states
第一性原理计算
,氮化Si薄膜,PL发光增强,局域陷阱态

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Abstract:

由于氮原子在Si(1 1 1)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(1 1 1)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(1 1 1)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生. 我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理.

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