%0 Journal Article
%T The first-principle calculations and analysis on density of states of silion plane (111) formed by nitrogen film<br>Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析
%A Lü Quan
%A Huang Wei-Qi
%A Wang Xiao-Yun
%A Meng Xiang-Xiang
%A <br>吕泉
%A 黄伟其
%A 王晓允
%A 孟祥翔
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 由于氮原子在Si(1 1 1)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(1 1 1)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(1 1 1)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生. 我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理.
%K the first-principle calculations
%K SiN films
%K PL emission enhanced
%K localized trap states<br>第一性原理计算
%K 氮化Si薄膜
%K PL发光增强
%K 局域陷阱态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B2C2A68A77F228DED62E550AA23D3AF0&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=AAF16AE1535DB986&eid=4A5700902A587DDE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=16