First-principles study on field emission of C-doped capped single-walled BNNT
碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管（BNNT）顶层掺碳体系（C@BNNT）的电子场发射性能.结果表明：随外电场增强，C@BNNT电子结构变化显著，态密度（DOS）向低能方向移动；碳原子的局域态密度（LDOS）在费米能级附近明显增大；赝能隙、最高占据分子轨道（HOMO）/最低未占据分子轨道（LUMO）能隙减小；体系电荷移向帽端.DOS，HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明，与BNNT相比，C@BNNT电子场发射性能显著改善，且C@BNmoreNT性能更优.