%0 Journal Article
%T First-principles study on field emission of C-doped capped single-walled BNNT<br>碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究
%A Yang Min
%A Wang Liu-Ding
%A Chen Guo-Dong
%A An Bo
%A Wang Yi-Jun
%A Liu Guang-Qing
%A <br>杨敏
%A 王六定
%A 陈国栋
%A 安博
%A 王益军
%A 刘光清
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管（BNNT）顶层掺碳体系（C@BNNT）的电子场发射性能.结果表明：随外电场增强，C@BNNT电子结构变化显著，态密度（DOS）向低能方向移动；碳原子的局域态密度（LDOS）在费米能级附近明显增大；赝能隙、最高占据分子轨道（HOMO）/最低未占据分子轨道（LUMO）能隙减小；体系电荷移向帽端.DOS，HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明，与BNNT相比，C@BNNT电子场发射性能显著改善，且C@BNmoreNT性能更优.
%K 碳掺杂，
%K 硼氮纳米管，
%K 电子场发射，
%K 第一性原理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4F32AC10F25B8EF8490218005958CB38&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=A8CE0ACDFDA9323E&eid=0D3E7A2172AB4415&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0