Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films
沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响

采用ZYGO MarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究，讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明：在所有的工艺条件下，薄膜的残余应力均为张应力；随着沉积速率的升高，氧分压的减小，薄膜的堆积密度逐渐增大，而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构，探讨了HfO2薄膜晶体