%0 Journal Article
%T Influences of deposition rate and oxygen partial pressure on residual stress of HfO2 films<br>沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响
%A Cen Min
%A Zhang Yue-Guang
%A Chen Wei-Lan
%A Gu Pei-Fu
%A <br>岑态
%A 章岳光
%A 陈卫兰
%A 顾培夫
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用ZYGO MarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究，讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明：在所有的工艺条件下，薄膜的残余应力均为张应力；随着沉积速率的升高，氧分压的减小，薄膜的堆积密度逐渐增大，而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构，探讨了HfO2薄膜晶体
%K residual stress
%K HfO2 films
%K deposition rate
%K oxygen partial pressure<br>残余应力，
%K HfO2薄膜，
%K 沉积速率，
%K 氧分压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=5A38CD22ED23109AE64A2DB87C1D1624&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=29B5710D498157E2&eid=3E1B1A7CFAFA86F5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0