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物理学报 2010
X-ray photoelectron spectroscopy study on GaN crystal irradiated by slow highly charged ions
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Abstract:
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的刻蚀作用; 经高电荷态离子辐照的GaN样品表面氮元素贫乏而镓元素富集; 随着入射离子剂量和所携带电荷数的增大,Ga—Ga键相对含量增大; 辐照后,GaN样品中Ga—Ga键对应的Ga 3d5/2电子的束缚能偏小
