%0 Journal Article
%T X-ray photoelectron spectroscopy study on GaN crystal irradiated by slow highly charged ions<br>低速高电荷态重离子辐照的GaN晶体表面X射线光电子能谱研究
%A Han Lu-Hui
%A Zhang Chong-Hong
%A Zhang Li-Qing
%A Yang Yi-Tao
%A Song Yin
%A Sun You-Mei
%A <br>韩录会
%A 张崇宏
%A 张丽卿
%A 杨义涛
%A 宋银
%A 孙友梅
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和元素化合态进行了分析.结果表明,高电荷态离子对样品表面有显著的刻蚀作用; 经高电荷态离子辐照的GaN样品表面氮元素贫乏而镓元素富集; 随着入射离子剂量和所携带电荷数的增大,Ga—Ga键相对含量增大; 辐照后,GaN样品中Ga—Ga键对应的Ga 3d5/2电子的束缚能偏小
%K gallium nitride (GaN) crystal
%K highly-charged heavy ions
%K X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)<br>GaN晶体
%K 高电荷态重离子
%K X射线光电子能谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B93B6A8C44273D70D6958FFD50F96E10&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=CCF1FD32927AD0BA&eid=8731390CF2197F8B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=32