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物理学报 2010
1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长Keywords: 晶体管激光器,外延结构,掺杂扩散,量子阱退化 Abstract: 基于器件模拟仿真,设计了一种1.5 μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构. 其多量子阱有源区置于基区非对称波导中. 仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制. 对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化. 通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018 cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散. 所获得的外延材料在
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