%0 Journal Article
%T 1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
%A 段子刚
%A 黄晓东
%A 周宁
%A 徐光辉
%A 柴广跃
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 基于器件模拟仿真,设计了一种1.5 μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构. 其多量子阱有源区置于基区非对称波导中. 仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制. 对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化. 通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018 cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散. 所获得的外延材料在
%K 晶体管激光器
%K 外延结构
%K 掺杂扩散
%K 量子阱退化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=5E742C2904FA87DAEDA0E3A3F0E821C9&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=8FFCF66B3E583E92&eid=2C51730436F73244&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=21