The in situ two-temperature process of preparation of CeO2 films on sapphire substrates and technical improvements of fabrication of Tl-2212 films
在蓝宝石上生长CeO2 缓冲层的原位双温工艺法及Tl-2212薄膜的技术改进

Keywords: Tl-2212超导薄膜，,蓝宝石，,氧化铈缓冲层，,原位双温工艺法

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Abstract:

报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ｂa2CaCu2Ｏ8（Tl-2212）薄膜超导特性的影响．XPS和AFM测试结果表明，采用原位双温工艺法制备缓冲层，具有工艺简单，薄膜表面光滑，衬底材料原子扩散量少等特点．在先驱膜的高温后退火过程中，40 nm厚的CeO2薄膜就能有效地阻挡衬底材料对超导薄膜底层的扩散．随后制备厚度为530 nm的Tl-2212

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