%0 Journal Article
%T The in situ two-temperature process of preparation of CeO2 films on sapphire substrates and technical improvements of fabrication of Tl-2212 films<br>在蓝宝石上生长CeO2 缓冲层的原位双温工艺法及Tl-2212薄膜的技术改进
%A Xie Qing-Lian
%A Wang Zheng
%A Huang Guo-Hu
%A Wang Xiang-Hong
%A You Feng
%A Ji Lu
%A Zhao Xin-Jie
%A Fang Lan
%A Yan Shao-Lin
%A <br>谢清连
%A 王争
%A 黄国华
%A 王向红
%A 游峰
%A 季鲁
%A 赵新杰
%A 方兰
%A 阎少林
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 报道了在蓝宝石衬底上制备CeO2缓冲层的原位双温工艺法及其对Tl2Ｂa2CaCu2Ｏ8（Tl-2212）薄膜超导特性的影响．XPS和AFM测试结果表明，采用原位双温工艺法制备缓冲层，具有工艺简单，薄膜表面光滑，衬底材料原子扩散量少等特点．在先驱膜的高温后退火过程中，40 nm厚的CeO2薄膜就能有效地阻挡衬底材料对超导薄膜底层的扩散．随后制备厚度为530 nm的Tl-2212
%K Tl-2212超导薄膜，
%K 蓝宝石，
%K 氧化铈缓冲层，
%K 原位双温工艺法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=91EFE27302E8CDA29EADECF7731A8779&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=708DD6B15D2464E8&sid=97616F35E348C293&eid=914A324E686BEEA0&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0